型号:

DMC3021LSD-13

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A SO8
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
DMC3021LSD-13 PDF
标准包装 1
系列 -
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8.5A,7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 21 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 16.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 767pF @ 10V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装 8-SO
包装 剪切带 (CT)
其它名称 DMC3021LSD-13DICT
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